三星开始开发DDR6内存：采用MSAP封装技术，消息称传输速度高达170

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据Sammobile报道，三星副总裁高永光在最近于南韩水原举行的研讨会上表示，伴随着记忆体半导体变得更加强大，封装技术必须与记忆体半导体一起发展将MSAP技术应用于其DDR6存储芯片将使三星能够制造电路更精细的芯片

根据Elec的报道，三星的竞争对手已经将MSAP封装技术用于DDR5内存，三星正在尝试将这种封装技术用于DDR6。

在传统的封装方法中，只有要形成电路图案的区域被涂覆，而其他区域被蚀刻掉可是，在MSAP封装中，除了电路之外的所有区域都被涂覆，而空白区域被电镀，从而可以实现更精细的电路

本站了解到，三星在本周早些时候推出了首款用于显卡的24Gbps GDDR6 DRAM芯片据报道，该公司正处于DDR6开发的早期阶段根据去年的一份报告，其DDR6设计可能在2024年完成

估计DDR6比DDR5快一倍，内存通道数是DDR5的两倍DDR6可以达到12800Mbps左右的传输速率，或者支持超频到17000Mbps

目前三星最快的DDR5 DIMM传输速度高达7200 Mbps，所以超频下DDR6会提升0.7倍和1.36倍。